Исследование рынка альтернативной памяти - 28 Апреля 2013 - DxOrg - Актуальные новости IT-Мира
Приветствую Вас, Гость! Регистрация RSS

DxOrg (ДхОрг)

Суббота, 03 Декабрь 2016

Главная » 2013 » Апрель » 28 » Исследование рынка альтернативной памяти
23:02:34
Исследование рынка альтернативной памяти

Рынок интегральных микросхем памяти следующего поколения находится в начале своего развития, но уже сейчас он достаточно интересен инвесторам и производителям, чтобы проводить исследования рыночных реалий и делать прогнозы. Аналитическая компания Research and Markets провела полномасштабное изучение рынка альтернативных запоминающих устройств, результаты которого выглядят следующим образом.

Для начала стоит определиться с объектом аналитического исследования. Специалисты Research and Markets рассматривают в качестве альтернативы современным микросхемам памяти следующие типы запоминающих устройств: магнеторезистивную память (Magneto Resistive RAM, или MRAM), память на основе фазовых переходов (Phase Change RAM, или PCRAM), ферроэлектрическую память (Ferroelectric RAM, или FeRAM), и микросхемы памяти на основе мемристоров (MeRAM). Все они в будущем должны заменить энергонезависимые устройства хранения информации, такие как флеш-память типа NAND и NOR. В этом случае на первый план выходят следующие характеристики: высокая скорость чтения и записи данных, возможность для масштабирования и высокая надежность.

Микросхема PCRAM-памяти

Рассматривая рыночную долю каждого из альтернативных типов микросхем памяти, исследователи пришли к выводу, что пока интерес с коммерческой точки зрения представляют MRAM- и FeRAM-устройства. Память на основе фазовых переходов занимает совсем крошечную долю рынка, а серийные микросхемы типа MeRAM вообще появятся только к концу 2013 года.

Главной проблемой для производителей альтернативных устройств остается высокая стоимость разработки, несовершенство технологического процесса и конструкции микросхем. Все это не позволяет сделать продукцию по такой цене, чтобы она оказывалась конкурентоспособной на мировом рынке. Однако в долгосрочной перспективе память нового поколения должна выиграть, ведь ее главным козырем является универсальность. Теоретически это позволит заменить не только энергонезависимые устройства хранения информации, но и энергозависимые, в первую очередь, микросхемы оперативной памяти. И вот здесь перед исследователями, разработчиками и непосредственно производителями встает задача быть в числе первых, кто освоит крупносерийный выпуск новых чипов. Рынок микросхем флеш-памяти поистине колоссален по объему, и кто первым выпустит удачную замену, тот получит в результате невероятно высокую прибыль.

Категория: Технологии | Просмотров: 451 | Добавил: Creatormaster | Рейтинг:
0.0 из 5, 0 голосов
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]